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2A8

产品描述L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小31KB,共2页
制造商ETC2
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2A8概述

L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

L波段, 硅, NPN, 射频小信号晶体管

2A8规格参数

参数名称属性值
端子数量4
晶体管极性NPN
最大集电极电流0.3000 A
最大集电极发射极电压21 V
加工封装描述55EU, 4 PIN
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸DISK BUTTON
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子涂层TIN LEAD
端子位置RADIAL
包装材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
结构SINGLE
元件数量1
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
晶体管类型RF SMALL SIGNAL
最高频带L BAND
最大集电极基极电容4 pF

2A8相似产品对比

2A8 2A8-2
描述 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
端子数量 4 4
晶体管极性 NPN NPN
最大集电极电流 0.3000 A 0.3000 A
最大集电极发射极电压 21 V 21 V
加工封装描述 55EU, 4 PIN 55EU, 4 PIN
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 ROUND ROUND
包装尺寸 DISK BUTTON DISK BUTTON
表面贴装 Yes Yes
端子形式 FLAT FLAT
端子涂层 TIN LEAD TIN LEAD
端子位置 RADIAL RADIAL
包装材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
结构 SINGLE SINGLE
元件数量 1 1
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
晶体管类型 RF SMALL SIGNAL RF SMALL SIGNAL
最高频带 L BAND L BAND
最大集电极基极电容 4 pF 4 pF
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