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5962-01-193-5206

产品描述AND GATE
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小263KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

5962-01-193-5206概述

AND GATE

5962-01-193-5206规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
JESD-30 代码R-XDIP-T14
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I(ol)0.004 A
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup38 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

5962-01-193-5206相似产品对比

5962-01-193-5206 CD54HC132F CD54HCT132H CD54HCT132F CD54HC132H
描述 AND GATE CD54HC132F CD54HCT132H CD54HCT132F CD54HC132H
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant unknown not_compliant unknown
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 AND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 DIE OR CHIP DIP14,.3 DIE OR CHIP
电源 2/6 V 2/6 V 5 V 5 V 2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 38 ns 38 ns 50 ns 50 ns 38 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 -
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 DIP, DIP14,.3 - , DIE OR CHIP DIP, DIP14,.3 , DIE OR CHIP
JESD-30 代码 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14 - R-XDIP-T14 -
端子数量 14 14 - 14 -
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC - CERAMIC -
封装代码 DIP DIP - DIP -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE IN-LINE - IN-LINE -
表面贴装 NO NO - NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm -
端子位置 DUAL DUAL - DUAL -

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