CD54HCT132H
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | , DIE OR CHIP |
Reach Compliance Code | unknown |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.004 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装等效代码 | DIE OR CHIP |
电源 | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 50 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | YES |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
Base Number Matches | 1 |
CD54HCT132H | CD54HC132F | CD54HCT132F | CD54HC132H | 5962-01-193-5206 | |
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描述 | CD54HCT132H | CD54HC132F | CD54HCT132F | CD54HC132H | AND GATE |
Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | not_compliant | unknown | not_compliant |
负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | AND GATE |
最大I(ol) | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
封装等效代码 | DIE OR CHIP | DIP14,.3 | DIP14,.3 | DIE OR CHIP | DIP14,.3 |
电源 | 5 V | 2/6 V | 5 V | 2/6 V | 2/6 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 50 ns | 38 ns | 50 ns | 38 ns | 38 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
施密特触发器 | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
包装说明 | , DIE OR CHIP | - | DIP, DIP14,.3 | , DIE OR CHIP | DIP, DIP14,.3 |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
厂商名称 | - | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
JESD-30 代码 | - | R-XDIP-T14 | R-XDIP-T14 | - | R-XDIP-T14 |
端子数量 | - | 14 | 14 | - | 14 |
封装主体材料 | - | CERAMIC | CERAMIC | - | CERAMIC |
封装代码 | - | DIP | DIP | - | DIP |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | - | IN-LINE | IN-LINE | - | IN-LINE |
表面贴装 | - | NO | NO | - | NO |
端子形式 | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
端子节距 | - | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
端子位置 | - | DUAL | DUAL | - | DUAL |
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