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CD54HCT132F

产品描述CD54HCT132F
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小263KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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CD54HCT132F概述

CD54HCT132F

CD54HCT132F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
JESD-30 代码R-XDIP-T14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup50 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

CD54HCT132F相似产品对比

CD54HCT132F CD54HC132F CD54HCT132H CD54HC132H 5962-01-193-5206
描述 CD54HCT132F CD54HC132F CD54HCT132H CD54HC132H AND GATE
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant unknown unknown not_compliant
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE AND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 DIE OR CHIP DIE OR CHIP DIP14,.3
电源 5 V 2/6 V 5 V 2/6 V 2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 50 ns 38 ns 50 ns 38 ns 38 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
是否Rohs认证 不符合 不符合 - - 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 DIP, DIP14,.3 - , DIE OR CHIP , DIE OR CHIP DIP, DIP14,.3
JESD-30 代码 R-XDIP-T14 R-XDIP-T14 - - R-XDIP-T14
端子数量 14 14 - - 14
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC - - CERAMIC
封装代码 DIP DIP - - DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE - - IN-LINE
表面贴装 NO NO - - NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm - - 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL - - DUAL

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