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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JAN2N4033UA
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JAN2N4033UA

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小282KB，共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN2N4033UA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3

JAN2N4033UA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid2078540969
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-CDSO-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/512
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）210 ns
最大开启时间（吨）40 ns

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/512
DEVICES
LEVELS
2N4029
2N4033
2N4033UA
2N4033UB
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation @ T
A
=
+25°C
2N4029
1
2N4033
2
2N4033UA, UB
3
2N4029
2N4033
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
, T
stg
R
θJC
Value
80
80
5.0
1.0
0.5
0.8
0.5
-65 to +200
80
40
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
W
°C
°C/W
TO-18 (TO-206AA)
2N4029
Operating & Storage Junction Temperature Range
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Note:
1.
2.
3.
Derate linearly 2.86mW/°C for T
A
> +25°C
Derate linearly 4.56mW/°C for T
A
> +25°C
For UB package and use R
θJC
or see thermal curves in /512
TO-39 (TO-205AD)
2N4033
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Symbol
Min.
Max.
Unit
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 80Vdc
V
CB
= 60Vdc
V
CB
= 60Vdc, T
A
= +150°C
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 5.0Vdc
V
EB
= 3.0Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
BE
= 2.0Vdc, V
CE
= 60Vdc
I
CBO
10
10
25
10
25
25
μAdc
ηAdc
μAdc
μAdc
ηAdc
ηAdc
UA Package
I
EBO
I
CEX
UB Package
Page 1 of 6
T4-LDS-0157 Rev. 2 (101305)

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN
包装说明 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 CERAMIC PACKAGE-3 TO-18, 3 PIN TO-39, 3 PIN TO-18, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant compli _compli not_compliant not_compliant unknown unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25 25 25 25 25 25 25
JESD-30 代码 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND ROUND ROUND
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES YES NO NO NO
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD WIRE WIRE WIRE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns
最大开启时间（吨） 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 -
Objectid 2078540969 - - 2078571659 2078586799 1402825125 1401534616 1401534619 -
针数 3 3 3 3 3 3 3 2 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 -
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C -
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified -
参考标准 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 -
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD -

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