SRAM Module, 256KX32, 35ns, CMOS, CHIP66, CERAMIC, HIP-66
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | CERAMIC, HIP-66 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| 其他特性 | CONFIGURABLE AS 256K X 32 |
| 备用内存宽度 | 16 |
| JESD-30 代码 | S-CHIP-P66 |
| 内存密度 | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX32 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | HEX |
| Base Number Matches | 1 |
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