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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANS2N4033
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JANS2N4033

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小282KB，共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANS2N4033在线购买

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JANS2N4033概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN

JANS2N4033规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1401534619
零件包装代码BCY
包装说明TO-39, 3 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys ManufacturerMicrosemi Corporation
Samacsys Modified On2020-02-18 09:24:53
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/512
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）210 ns
最大开启时间（吨）40 ns

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/512
DEVICES
LEVELS
2N4029
2N4033
2N4033UA
2N4033UB
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation @ T
A
=
+25°C
2N4029
1
2N4033
2
2N4033UA, UB
3
2N4029
2N4033
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
, T
stg
R
θJC
Value
80
80
5.0
1.0
0.5
0.8
0.5
-65 to +200
80
40
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
W
°C
°C/W
TO-18 (TO-206AA)
2N4029
Operating & Storage Junction Temperature Range
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Note:
1.
2.
3.
Derate linearly 2.86mW/°C for T
A
> +25°C
Derate linearly 4.56mW/°C for T
A
> +25°C
For UB package and use R
θJC
or see thermal curves in /512
TO-39 (TO-205AD)
2N4033
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Symbol
Min.
Max.
Unit
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 80Vdc
V
CB
= 60Vdc
V
CB
= 60Vdc, T
A
= +150°C
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 5.0Vdc
V
EB
= 3.0Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
BE
= 2.0Vdc, V
CE
= 60Vdc
I
CBO
10
10
25
10
25
25
μAdc
ηAdc
μAdc
μAdc
ηAdc
ηAdc
UA Package
I
EBO
I
CEX
UB Package
Page 1 of 6
T4-LDS-0157 Rev. 2 (101305)

JANS2N4033相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN
包装说明 TO-39, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 CERAMIC PACKAGE-3 TO-18, 3 PIN TO-18, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown compli _compli not_compliant not_compliant not_compliant unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25 25 25 25 25 25 25
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 R-CDSO-N3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 METAL CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL METAL
封装形状 ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 NO YES YES YES YES YES YES NO NO
端子形式 WIRE NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns 210 ns
最大开启时间（吨） 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns 40 ns
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 -
Objectid 1401534619 - - 2078571659 2078586799 2078540969 1402825125 1401534616 -
针数 2 3 3 3 3 3 3 3 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 -
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C -
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified -
参考标准 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 MIL-19500/512 -
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD -

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