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AS7C33512NTD18A-133TQIN

产品描述3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
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文件大小429KB,共19页
制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
标准
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AS7C33512NTD18A-133TQIN概述

3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD

AS7C33512NTD18A-133TQIN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度9437184 bi
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)245
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm

AS7C33512NTD18A-133TQIN相似产品对比

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描述 3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD 3.3V 512K x 18 Pipelined burst Synchronous SRAM with NTD
是否Rohs认证 符合 - 不符合 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] - ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation] ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码 QFP - QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LQFP, QFP100,.63X.87 - LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87
针数 100 - 100 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 4.5 ns - 4.5 ns 4.5 ns 4.5 ns 4 ns 4 ns 4 ns 4 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE - PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE PIPELINED ARCHITECTURE; LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz - 133 MHz 133 MHz 133 MHz 166 MHz 166 MHz 166 MHz 166 MHz
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 - R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e3 - e0 e3 e0 e3 e0 e3 e0
长度 20 mm - 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 9437184 bi - 9437184 bi 9437184 bi 9437184 bi 9437184 bi 9437184 bi 9437184 bi 9437184 bi
内存集成电路类型 ZBT SRAM - ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 - 18 18 18 18 18 18 18
功能数量 1 - 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 - 100 100 100 100 100 100 100
字数 524288 words - 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 - 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C
组织 512KX18 - 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP - LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 - QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE - FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 245 - NOT SPECIFIED 245 NOT SPECIFIED 245 NOT SPECIFIED 245 NOT SPECIFIED
电源 2.5/3.3,3.3 V - 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm - 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.03 A - 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
最小待机电流 3.14 V - 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.4 mA - 0.4 mA 0.4 mA 0.4 mA 0.475 mA 0.475 mA 0.475 mA 0.475 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V - 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V - 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES - YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 MATTE TIN - Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm - 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD - QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED
宽度 14 mm - 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
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