Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRLR7843HR

IRLR7843HR: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小366KB，共11页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRLR7843HR概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3

IRLR7843HR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	1440 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.0033 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	245
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	620 A
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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Applications

High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

Lead-Free

Benefits

Very Low RDS(on) at 4.5V V

Ultra-Low Gate Impedance

Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

HEXFET

Power MOSFET

IRLR7843PbF

IRLU7843PbF

3.3m

PD - 95440B

DSS

30V

DS(on)

max

34nC

D-Pak

IRLR7843PbF

I-Pak

IRLU7843PbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

= 100°C

STG

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Continuous Drain Current, V

@ 10V

Pulsed Drain Current

Max.

± 20

161

620

140

0.95

-55 to + 175

300 (1.6mm from case)

Units

Maximum Power Dissipation

113

W/°C

°C

Linear Derating Factor

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Thermal Resistance

Parameter

θJC

θJA

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Junction-to-Ambient

Typ.

Max.

1.05

110

Units

°C/W

gÃ

–––

Notes

through

are on page 11

www.irf.com

04/30/08

IRLR7843HR相似产品对比

	IRLR7843HR	IRLU7843	IRLR7843TRRPBF	IRLU7843-701PBF	IRLR7843TRR	IRLR7843TRL	IRLR7843CTRLPBF	IRLR7843CTRRPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3	HEXFET Power MOSFET	mosfet N-CH 30v 161a dpak	mosfet N-CH 30v 161a ipak	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	-	不符合	-	符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-252AA	TO-251AA	TO-252AA	-	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	3	-	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	unknown	-	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	1440 mJ	1440 mJ	1440 mJ	-	1440 mJ	1440 mJ	1440 mJ	1440 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V	30 V	-	30 V	30 V	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	30 A	30 A	30 A	-	30 A	30 A	30 A	30 A
最大漏源导通电阻	0.0033 Ω	0.0033 Ω	0.0033 Ω	-	0.0033 Ω	0.0033 Ω	0.0033 Ω	0.0033 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA	TO-251AA	TO-252AA	-	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e0	e3	-	e0	e0	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1	-	1	1	1	1
元件数量	1	1	1	-	1	1	1	1
端子数量	2	3	2	-	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	245	245	260	-	NOT SPECIFIED	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	620 A	620 A	620 A	-	620 A	620 A	620 A	620 A
表面贴装	YES	NO	YES	-	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	MATTE TIN OVER NICKEL	-	TIN LEAD	TIN LEAD	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified

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