Standard SRAM, 1MX4, 35ns, BICMOS, PDSO36
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) |
零件包装代码 | SOJ |
包装说明 | SOJ, SOJ36,.44 |
针数 | 36 |
Reach Compliance Code | compliant |
最长访问时间 | 35 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J36 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 |
端子数量 | 36 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1MX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装等效代码 | SOJ36,.44 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BICMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
MB82B206-35PJ | MB82B206-25PJ | |
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描述 | Standard SRAM, 1MX4, 35ns, BICMOS, PDSO36 | Standard SRAM, 1MX4, 25ns, BICMOS, PDSO36 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) |
零件包装代码 | SOJ | SOJ |
包装说明 | SOJ, SOJ36,.44 | SOJ, SOJ36,.44 |
针数 | 36 | 36 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
最长访问时间 | 35 ns | 25 ns |
I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J36 | R-PDSO-J36 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 | 4 |
端子数量 | 36 | 36 |
字数 | 1048576 words | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 1MX4 | 1MX4 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ | SOJ |
封装等效代码 | SOJ36,.44 | SOJ36,.44 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | BICMOS | BICMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
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