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MB82B206-25PJ

产品描述Standard SRAM, 1MX4, 25ns, BICMOS, PDSO36
产品类别存储    存储   
文件大小45KB,共2页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB82B206-25PJ概述

Standard SRAM, 1MX4, 25ns, BICMOS, PDSO36

MB82B206-25PJ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ36,.44
针数36
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间25 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J36
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量36
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ36,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

MB82B206-25PJ相似产品对比

MB82B206-25PJ MB82B206-35PJ
描述 Standard SRAM, 1MX4, 25ns, BICMOS, PDSO36 Standard SRAM, 1MX4, 35ns, BICMOS, PDSO36
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
零件包装代码 SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ36,.44 SOJ, SOJ36,.44
针数 36 36
Reach Compliance Code compliant compliant
最长访问时间 25 ns 35 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J36 R-PDSO-J36
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4
端子数量 36 36
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX4 1MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ36,.44 SOJ36,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 BICMOS BICMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL

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