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BDS646

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小293KB,共7页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BDS646概述

Transistor,

BDS646规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)3 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)8 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)10 MHz

BDS646相似产品对比

BDS646 BDS652 BDS644 BDS648 BDS650
描述 Transistor, Transistor, Transistor, Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 1000 1000 1000 1000 1000
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 8 W 8 W 8 W 8 W 8 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
厂商名称 North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div - - North American Philips Discrete Products Div
Base Number Matches - 1 1 1 -

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