Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> A42B2

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A42B2: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小284KB，共3页; 制造商Bytesonic Corporation

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A42B2概述

Transistor

A42B2规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Bytesonic Corporation
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	300 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	150
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	0.625 W
最大功率耗散 (Abs)	0.625 W
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz
VCEsat-Max	0.2 V

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TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

A42

TRANSISTOR（ NPN

）

TO—92

FEATURES

Power dissipation

W（Tamb=25℃）

: 0.625

Collector current

: 0.5

Collector-base voltage

(BR)CBO

: 300

Operating and storage junction temperature range

，T

stg

: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Symbol

V(BR)

CBO

V(BR)

CEO

V(BR)

EBO

CBO

EBO

（

）

DC current gain

（

）

（

）

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

(sat)

1.EMITTER

2.BASE

3.COLLECTOR

1 2 3

unless

Test

otherwise

MIN

specified）

TYP

MAX

UNIT

0.25

0.1

conditions

Ic= 100

A， I

Ic=

1 mA， I

100

A， I

V I

，

300

= 200 V

= 10 V, I

= 1 mA

= 10V, IC = 10 mA

= 10 V, I

=30 mA

= 20 mA, I

= 2 mA

= 20m A,

=20 V,

f =

30MHz

= 2 mA

I = 10 mA

0.2

0.9

MHz

250

CLASSIFICATION OF h

FE(2)

Rank

Range

80-100

100-150

150-200

200-250

A42B2相似产品对比

	A42B2	A42C	A42A	A42
描述	Transistor	Transistor	Transistor	Transistor
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	,	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
厂商名称	Bytesonic Corporation	-	Bytesonic Corporation	Bytesonic Corporation
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	-	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	300 V	-	300 V	300 V
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	150	-	80	75
JEDEC-95代码	TO-92	-	TO-92	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	-	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	-	1	1
端子数量	3	-	3	3
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	-	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	-	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	-	NPN	NPN
功耗环境最大值	0.625 W	-	0.625 W	0.625 W
最大功率耗散 (Abs)	0.625 W	-	0.625 W	0.625 W
表面贴装	NO	-	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	50 MHz	-	50 MHz	50 MHz
VCEsat-Max	0.2 V	-	0.2 V	0.2 V

推荐资源

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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