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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> A42C
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A42C

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小284KB，共3页
制造商Bytesonic Corporation
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A42C概述

Transistor

A42C规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
A42
TRANSISTOR（ NPN
）
TO—92
FEATURES
Power dissipation
W（Tamb=25℃）
P
CM
: 0.625
Collector current
I
CM
: 0.5
A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 300
V
Operating and storage junction temperature range
T
J
，T
stg
: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
V(BR)
CBO
V(BR)
CEO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（
1
）
DC current gain
h
FE
（
2
）
H
FE
（
3
）
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
1.EMITTER
2.BASE
3.COLLECTOR
1 2 3
unless
Test
otherwise
MIN
specified）
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
0.25
0.1
conditions
Ic= 100
μ
A， I
E
=0
Ic=
I
E
=
1 mA， I
B
=0
100
μ
A， I
C
=0
I
E
=0
V I
C
=0
，
300
300
5
V
CB
= 200 V
V
EB
=
5
μ
A
μ
A
V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
V
CE
= 10V, IC = 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
=30 mA
I
C
= 20 mA, I
B
= 2 mA
I
C
= 20m A,
V
CE
=20 V,
f =
30MHz
I
B
= 2 mA
I = 10 mA
C
60
80
75
0.2
0.9
50
V
V
MHz
250
f
T
CLASSIFICATION OF h
FE(2)
Rank
Range
A
80-100
B
1
100-150
B
2
150-200
C
200-250

A42C相似产品对比

A42C A42A A42B2 A42
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
包装说明 , CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow
厂商名称 - Bytesonic Corporation Bytesonic Corporation Bytesonic Corporation
最大集电极电流 (IC) - 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 - 300 V 300 V 300 V
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 80 150 75
JEDEC-95代码 - TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 - 1 1 1
端子数量 - 3 3 3
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - ROUND ROUND ROUND
封装形式 - CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 - NPN NPN NPN
功耗环境最大值 - 0.625 W 0.625 W 0.625 W
最大功率耗散 (Abs) - 0.625 W 0.625 W 0.625 W
表面贴装 - NO NO NO
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 50 MHz 50 MHz 50 MHz
VCEsat-Max - 0.2 V 0.2 V 0.2 V

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器件捷径:   E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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