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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TS13002CTB0
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TS13002CTB0

产品描述High Voltage NPN Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小30KB，共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TS13002CTB0概述

High Voltage NPN Transistor

TS13002CTB0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz
最大关闭时间（toff）4700 ns
最大开启时间（吨）888 ns

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TS13002
High Voltage NPN Transistor
BV
CEO
= 400V
BV
CBO
= 700V
Pin assignment:
1. Emitter
2. Collector
3. Base
Ic = 0.2A
V
CE (SAT)
, = 0.5V @ Ic / Ib = 100mA / 10mA
Features
High voltage
.
High speed switching
Ordering Information
Part No.
TS13002CT B0
TS13002CT A3
Packing
Bulk
AMMO pack
Package
TO-92
TO-92
Structure
Silicon triple diffused type.
NPN silicon transistor
Absolute Maximum Rating
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
Note: 1. Single pulse, Pw = 5mS, Duty <= 10%
DC
Pulse
P
D
T
J
T
STG
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Limit
700V
400V
9
0.2
0.5
0.6
+150
- 55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
o
o
C
C
Electrical Characteristics
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Static
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
DC Current Gain
DC Current Gain
Frequency
Output Capacitance
Turn On Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= 10mA, I
B
= 0
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
E
= 1mA, I
C
= 0
V
CB
= 700V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
I
C
/ I
B
= 200mA / 20mA
I
C
/ I
B
= 100mA / 10mA
V
CE
= 10V, I
C
= 10uA
V
CE
= 10V, I
C
= 100mA
V
CE
= 10V, I
C
= 200mA
V
CE
= 10V, I
C
= 0.1A
V
CB
= 10V, f = 0.1MHz
V
CC
= 125V, I
C
= 100mA,
I
B1
= I
B2
= 20mA,
R
L
= 125ohm
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)1
V
CE(SAT)2
h
FE
h
FE
h
FE
f
T
Cob
t
ON
t
STG
t
f
700
400
9
--
--
--
--
10
20
10
4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
21
1.1
--
--
--
--
--
100
10
2.5
0.5
40
40
40
--
--
--
4
0.7
MHz
pF
uS
uS
uS
V
V
V
uA
uA
V
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note : pulse test: pulse width <=5mS, duty cycle <=10%
TS13002
1-1
2004/06 rev. A

TS13002CTB0相似产品对比

TS13002CTB0 TS13002CTA3
描述 High Voltage NPN Transistor High Voltage NPN Transistor
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 4 MHz
最大关闭时间（toff） 4700 ns 4700 ns
最大开启时间（吨） 888 ns 888 ns

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