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GS8662D38BD-450M

产品描述QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
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文件大小355KB,共29页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8662D38BD-450M在线购买

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GS8662D38BD-450M概述

QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

GS8662D38BD-450M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
包装说明LBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间0.45 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度15 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm

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描述 QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 QDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 QDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
包装说明 LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm
内存密度 75497472 bit 67108864 bit 67108864 bit 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit
内存集成电路类型 QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM
内存宽度 36 8 8 18 18 36
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 165 165
字数 2097152 words 8388608 words 8388608 words 4194304 words 4194304 words 2097152 words
字数代码 2000000 8000000 8000000 4000000 4000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 2MX36 8MX8 8MX8 4MX18 4MX18 2MX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
厂商名称 GSI Technology GSI Technology GSI Technology - - GSI Technology
Base Number Matches - 1 1 1 1 -
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