Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> SM0-65608EV-30SC

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SM0-65608EV-30SC: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE; 产品类别存储存储; 文件大小71KB，共10页; 制造商Atmel (Microchip)

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SM0-65608EV-30SC概述

Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE

SM0-65608EV-30SC规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Atmel (Microchip)
零件包装代码	DIE
包装说明	DIE,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	30 ns
JESD-30 代码	X-XUUC-N
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIE
封装形状	UNSPECIFIED
封装形式	UNCASED CHIP
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER

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M65608E

128 K

8 Very Low Power CMOS SRAM Rad Tolerant

Introduction

The M65608E is a very low power CMOS static RAM

organized as 131072

8 bits.

Atmel Wireless & Microcontrollers brings the solution

to applications where fast computing is as mandatory as

low consumption, such as aerospace electronics,

portable instruments, or embarked systems.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells,

the M65608E combines an extremely low standby

supply current (Typical value = 0.2

µA)

with a fast

access time at 30 ns over the full military temperature

range. The high stability of the 6T cell provides

excellent protection against soft errors due to noise.

The M65608E is processed according to the methods of

the latest revision of the MIL STD 883 (class B or S),

ESA SCC 9000 or QML.

Features

Access time: 30, 45 ns

Very low power consumption

active : 250 mW (Typ)

standby : 1

µW

(Typ)

data retention : 0.5

µW

(Typ)

Wide temperature Range : –55 To +125°C

400 Mils width package

TTL compatible inputs and outputs

Asynchronous

Single 5 volt supply

Equal cycle and access time

Gated inputs :

no pull-up/down

resistors are required

Interface

Block Diagram

Rev. E – June 5, 2000

SM0-65608EV-30SC相似产品对比

	SM0-65608EV-30SC	MM0-65608EV-30	SMDJ-65608EV-30	SMC9-65608EV-45	SMDJ-65608EV-45
描述	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
零件包装代码	DIE	DIE	DFP	DIP	DFP
包装说明	DIE,	DIE,	DFP,	0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32	0.400 INCH, FP-32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	30 ns	30 ns	30 ns	45 ns	45 ns
JESD-30 代码	X-XUUC-N	X-XUUC-N	R-XDFP-F32	R-CDIP-T32	R-XDFP-F32
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED
封装代码	DIE	DIE	DFP	DIP	DFP
封装形状	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	FLATPACK	IN-LINE	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	FLAT	THROUGH-HOLE	FLAT
端子位置	UPPER	UPPER	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	Atmel (Microchip)	-	-	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)
针数	-	-	32	32	32
长度	-	-	20.825 mm	40.64 mm	20.825 mm
端子数量	-	-	32	32	32
座面最大高度	-	-	2.72 mm	4.32 mm	2.72 mm
端子节距	-	-	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
宽度	-	-	10.415 mm	10.16 mm	10.415 mm

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