Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | DFP, |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 30 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDFP-F32 |
| 长度 | 20.825 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.72 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.415 mm |
| Base Number Matches | 1 |

| SMDJ-65608EV-30 | MM0-65608EV-30 | SMC9-65608EV-45 | SMDJ-65608EV-45 | SM0-65608EV-30SC | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32 | Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32 | Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE |
| 零件包装代码 | DFP | DIE | DIP | DFP | DIE |
| 包装说明 | DFP, | DIE, | 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 | 0.400 INCH, FP-32 | DIE, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 30 ns | 30 ns | 45 ns | 45 ns | 30 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDFP-F32 | X-XUUC-N | R-CDIP-T32 | R-XDFP-F32 | X-XUUC-N |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DFP | DIE | DIP | DFP | DIE |
| 封装形状 | RECTANGULAR | UNSPECIFIED | RECTANGULAR | RECTANGULAR | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | FLATPACK | UNCASED CHIP | IN-LINE | FLATPACK | UNCASED CHIP |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | FLAT | NO LEAD | THROUGH-HOLE | FLAT | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | UPPER | DUAL | DUAL | UPPER |
| 针数 | 32 | - | 32 | 32 | - |
| 长度 | 20.825 mm | - | 40.64 mm | 20.825 mm | - |
| 端子数量 | 32 | - | 32 | 32 | - |
| 座面最大高度 | 2.72 mm | - | 4.32 mm | 2.72 mm | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 2.54 mm | 1.27 mm | - |
| 宽度 | 10.415 mm | - | 10.16 mm | 10.415 mm | - |
| 厂商名称 | - | - | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
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