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SMDJ-65608EV-30

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
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制造商Atmel (Microchip)
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SMDJ-65608EV-30概述

Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32

SMDJ-65608EV-30规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DFP
包装说明DFP,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间30 ns
JESD-30 代码R-XDFP-F32
长度20.825 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.72 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.415 mm
Base Number Matches1

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M65608E
128 K

8 Very Low Power CMOS SRAM Rad Tolerant
Introduction
The M65608E is a very low power CMOS static RAM
organized as 131072
×
8 bits.
Atmel Wireless & Microcontrollers brings the solution
to applications where fast computing is as mandatory as
low consumption, such as aerospace electronics,
portable instruments, or embarked systems.
Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells,
the M65608E combines an extremely low standby
supply current (Typical value = 0.2
µA)
with a fast
access time at 30 ns over the full military temperature
range. The high stability of the 6T cell provides
excellent protection against soft errors due to noise.
The M65608E is processed according to the methods of
the latest revision of the MIL STD 883 (class B or S),
ESA SCC 9000 or QML.
Features
D
Access time: 30, 45 ns
D
Very low power consumption
active : 250 mW (Typ)
standby : 1
µW
(Typ)
data retention : 0.5
µW
(Typ)
D
Wide temperature Range : –55 To +125°C
D
400 Mils width package
D
D
D
D
D
TTL compatible inputs and outputs
Asynchronous
Single 5 volt supply
Equal cycle and access time
Gated inputs :
no pull-up/down
resistors are required
Interface
Block Diagram
Rev. E – June 5, 2000
1

SMDJ-65608EV-30相似产品对比

SMDJ-65608EV-30 MM0-65608EV-30 SMC9-65608EV-45 SMDJ-65608EV-45 SM0-65608EV-30SC
描述 Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32 Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32 Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, DIE
零件包装代码 DFP DIE DIP DFP DIE
包装说明 DFP, DIE, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 0.400 INCH, FP-32 DIE,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 30 ns 30 ns 45 ns 45 ns 30 ns
JESD-30 代码 R-XDFP-F32 X-XUUC-N R-CDIP-T32 R-XDFP-F32 X-XUUC-N
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DFP DIE DIP DFP DIE
封装形状 RECTANGULAR UNSPECIFIED RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED
封装形式 FLATPACK UNCASED CHIP IN-LINE FLATPACK UNCASED CHIP
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE FLAT NO LEAD
端子位置 DUAL UPPER DUAL DUAL UPPER
针数 32 - 32 32 -
长度 20.825 mm - 40.64 mm 20.825 mm -
端子数量 32 - 32 32 -
座面最大高度 2.72 mm - 4.32 mm 2.72 mm -
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm 1.27 mm -
宽度 10.415 mm - 10.16 mm 10.415 mm -
厂商名称 - - Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip)

 
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