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MMBT3904G-AL3-R

产品描述200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小148KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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MMBT3904G-AL3-R概述

200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

MMBT3904G-AL3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
Base Number Matches1

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
MMBT3904
GENERAL PURPOSE
APPLIATION
FEATURES
* Collector-Emitter Voltage: V
CEO
=40V
* Collector Dissipation:
P
D(MAX)
=350mW
* Complementary to UTC MMBT3906
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
MMBT3904L-AE3-R
MMBT3904G-AE3-R
MMBT3904L-AL3-R
MMBT3904G-AL3-R
MMBT3904L-AN3-R
MMBT3904G-AN3-R
Package
SOT-23
SOT-323
SOT-523
Pin Assignment
1
2
3
E
B
C
E
B
C
E
B
C
Packing
Tape Reel
Tape Reel
Tape Reel
MARKING
1A.
L: Lead Free
G: Halogen Free
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R206-012.F

MMBT3904G-AL3-R相似产品对比

MMBT3904G-AL3-R MMBT3904G-AE3-R MMBT3904G-AN3-R MMBT3904L-AN3-R MMBT3904_11
描述 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大集电极电流 - - 0.2000 A 0.2000 A 0.2000 A
最大集电极发射极电压 - - 40 V 40 V 40 V
加工封装描述 - - HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3 HALOGEN FREE PACKAGE-3
状态 - - Active Active Active
结构 - - SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流放大倍数 - - 30 30 30
jesd_30_code - - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
最大工作温度 - - 150 Cel 150 Cel 150 Cel
包装材料 - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
包装形状 - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 - - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
larity_channel_type - - NPN NPN NPN
wer_dissipation_max__abs_ - - 0.3500 W 0.3500 W 0.3500 W
sub_category - - Other Transistors Other Transistors Other Transistors
额定交叉频率 - - 300 MHz 300 MHz 300 MHz
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