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UK3919-TN3-R

产品描述SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小326KB,共6页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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UK3919-TN3-R概述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

UK3919-TN3-R规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)73 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (ID)64 A
最大漏源导通电阻0.0056 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)256 A
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UK3919
SWITCHING N-CHANNEL
POWER MOSFET
DESCRIPTION
This
UK3919
N-Channel Logic Level MOSFET is
produced using UTC Semiconductor advanced Power
Trench process which has been tailored to make the
on-state resistance minimum and yet maintain low gate
charge for superior switching performance especially.
The
UK3919
is well suited for where low in-line power
loss is needed in a very small outline surface mount
package, such as low voltage and battery powered
applications.
Power MOSFET
FEATURES
* R
DS(ON)
= 5.6mΩ @V
GS
= 10 V
* Low capacitance
* Optimized gate charge
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
*Pb-free plating product number:UK3919L
SYMBOL
2.Drain
1.Gate
3.Source
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Normal
Lead Free Plating
UK3919-TN3-R
UK3919L-TN3-R
UK3919-TN3-T
UK3919L-TN3-T
Package
TO-252
TO-252
Pin Assignment
1
2
3
G
D
S
G
D
S
Packing
Tape Reel
Tube
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 6
QW-R502-200.A

UK3919-TN3-R相似产品对比

UK3919-TN3-R UK3919 UK3919-TN3-T UK3919L-TN3-R UK3919L-TN3-T
描述 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码 TO-252 - TO-252 TO-252 TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 - 4 4 4
Reach Compliance Code compli - compli compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 73 mJ - 73 mJ 73 mJ 73 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 25 V - 25 V 25 V 25 V
最大漏极电流 (ID) 64 A - 64 A 64 A 64 A
最大漏源导通电阻 0.0056 Ω - 0.0056 Ω 0.0056 Ω 0.0056 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252 - TO-252 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 - 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 256 A - 256 A 256 A 256 A
表面贴装 YES - YES YES YES
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
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