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UK2996G-TF1-T: 产品描述600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小267KB，共6页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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UK2996G-TF1-T概述

600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET

UK2996G-TF1-T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
雪崩能效等级（Eas）	252 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (ID)	10 A
最大漏源导通电阻	1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	30 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UK2996

600V SILICON N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The

UK2996

is an N-channel enhancement mode field-effect power

transistor. Intended for use in high voltage, high speed switching

applications in power supplies, DC-DC converter, relay drive and PWM

motor drive controls.

MOSFET

TO-220

TO-220F

FEATURES

* Fast Switching Times

* Improved Inductive Ruggedness

* High Forward Transfer Admittance

* Low on Resistance

* Low Leakage Current

* Lower Input Capacitance

TO-220F1

SYMBOL

TO-220F2

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Halogen Free

UK2996L-TA3-T

UK2996G-TA3-T

UK2996L-TF1-T

UK2996G-TF1-T

UK2996L-TF2-T

UK2996G-TF2-T

UK2996L-TF3-T

UK2996G-TF3-T

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

Package

TO-220

TO-220F1

TO-220F2

TO-220F

Pin Assignment

Packing

Tube

www.unisonic.com.tw

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QW-R502-063.C

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描述	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET	Transistor	600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	符合	-	-
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB	-	TO-220AB	TO-220AB	-	-
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	-	-
针数	3	3	-	3	3	-	-
Reach Compliance Code	compli	compli	-	compli	compli	-	-
雪崩能效等级（Eas）	252 mJ	252 mJ	-	252 mJ	252 mJ	-	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-
最小漏源击穿电压	600 V	600 V	-	600 V	600 V	-	-
最大漏极电流 (ID)	10 A	10 A	-	10 A	10 A	-	-
最大漏源导通电阻	1 Ω	1 Ω	-	1 Ω	1 Ω	-	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	-	TO-220AB	TO-220AB	-	-
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-	-
元件数量	1	1	-	1	1	-	-
端子数量	3	3	-	3	3	-	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	30 A	30 A	-	30 A	30 A	-	-
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	-	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	-	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	-	-

UK2996G-TF1-T

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