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UK2996G-TF2-T

产品描述600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET
文件大小267KB,共6页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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UK2996G-TF2-T概述

600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UK2996
600V SILICON N-CHANNEL
POWER MOSFET
DESCRIPTION
The
UK2996
is an N-channel enhancement mode field-effect power
transistor. Intended for use in high voltage, high speed switching
applications in power supplies, DC-DC converter, relay drive and PWM
motor drive controls.
MOSFET
1
TO-220
1
TO-220F
FEATURES
* Fast Switching Times
* Improved Inductive Ruggedness
* High Forward Transfer Admittance
* Low on Resistance
* Low Leakage Current
* Lower Input Capacitance
1
TO-220F1
SYMBOL
1
TO-220F2
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
UK2996L-TA3-T
UK2996G-TA3-T
UK2996L-TF1-T
UK2996G-TF1-T
UK2996L-TF2-T
UK2996G-TF2-T
UK2996L-TF3-T
UK2996G-TF3-T
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source
Package
TO-220
TO-220F1
TO-220F2
TO-220F
Pin Assignment
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
Packing
Tube
Tube
Tube
Tube
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
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QW-R502-063.C

UK2996G-TF2-T相似产品对比

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描述 600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET Transistor 600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 - -
零件包装代码 - TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB - -
包装说明 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 - -
针数 - 3 3 3 3 - -
Reach Compliance Code - compli compli compli compli - -
雪崩能效等级(Eas) - 252 mJ 252 mJ 252 mJ 252 mJ - -
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - -
最小漏源击穿电压 - 600 V 600 V 600 V 600 V - -
最大漏极电流 (ID) - 10 A 10 A 10 A 10 A - -
最大漏源导通电阻 - 1 Ω 1 Ω 1 Ω 1 Ω - -
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - -
JEDEC-95代码 - TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB - -
JESD-30 代码 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - -
元件数量 - 1 1 1 1 - -
端子数量 - 3 3 3 3 - -
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - -
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - -
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 30 A 30 A 30 A 30 A - -
表面贴装 - NO NO NO NO - -
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - -
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - -
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON - -
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