datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CTLM3410-M832DBK
PDF数据手册
文档预览

CTLM3410-M832DBK

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小402KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CTLM3410-M832DBK概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10

CTLM3410-M832DBK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10
针数10
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.65 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

文档预览

下载PDF文档
CTLM3410-M832D
CTLM7410-M832D
CTLM3474-M832D
SURFACE MOUNT
DUAL, LOW VCE (SAT)
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
TLM832D CASE
MARKING CODES:
CTLM3410-M832D: CFG
CTLM7410-M832D: CFH
CTLM3474-M832D: CFJ
APPLICATIONS
•
Switching Circuits
•
DC - DC Converters
•
LCD Backlighting
•
Battery powered / Portable Equipment
applications including Cell Phones,
Digital Cameras, Pagers, PDAs,
Notebook PCs, etc.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation (Note 1)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM3410-
M832D (Dual NPN), CTLM7410-M832D (Dual PNP),
and CTLM3474-M832D (Complementary NPN & PNP)
are Low VCE(SAT) Transistors packaged in the small,
thermally efficient, 3x2mm Tiny Leadless Module
(TLM™) surface mount case. These devices are
designed for applications where small size, operational
efficiency, and low energy consumption are the prime
requirements. Due to its leadless package design this
device is capable of dissipating up to 4 times the power
of similar devices in comparable sized surface mount
packages.
FEATURES
•
Dual Chip Device
•
High Current (1.0A) Transistors
•
Low VCE(SAT) Transistors (450mV @ IC=1.0A MAX)
•
High Power to Footprint Ratio of 275mW per sq mm
(Package Power Dissipation / Package Surface Area)
•
Small TLM 3x2mm Leadless Surface Mount Package
•
Complementary Devices
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
W
°C
°C/W
40
25
6.0
1.0
1.65
-65 to +150
76
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
PNP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
TYP
MAX
ICBO
VCB=40V
100
IEBO
VEB=6.0V
100
BVCBO
IC=100µA
40
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
IC=10mA
IE=100µA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=100mA, IB=10mA
25
6.0
25
40
30
50
50
75
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
Notes: (1) FR-4 Epoxy PCB with copper mounting pad area of 54mm
2
.
R3 (1-August 2011)

CTLM3410-M832DBK相似产品对比

CTLM3410-M832DBK CTLM3474-M832DTR CTLM3474-M832DTRLEADFREE CTLM3410-M832DTR CTLM7410-M832DTRLEADFREE CTLM7410-M832DTR CTLM3474-M832DBK CTLM7410-M832DBK CTLM7410-M832DBKLEADFREE CTLM3410-M832DBKLEADFREE
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN and PNP Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Transistor Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 , 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 , 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 , ,
Reach Compliance Code compliant compliant unknown compliant unknown compliant compliant compliant unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 100 50 100 50 50 50 100 100
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN AND PNP NPN/PNP NPN PNP PNP NPN AND PNP PNP PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
针数 10 10 - 10 - 10 10 10 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 - -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - -
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V - 25 V - 25 V 25 V 25 V - -
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS - -
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 - R-PDSO-N8 - R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 - -
JESD-609代码 e3 e3 - e3 - e3 e3 e3 - -
湿度敏感等级 1 1 - 1 - 1 1 1 - -
元件数量 2 2 - 2 - 2 2 2 - -
端子数量 8 8 - 8 - 8 8 8 - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - -
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN - MATTE TIN - MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN - -
端子形式 NO LEAD NO LEAD - NO LEAD - NO LEAD NO LEAD NO LEAD - -
端子位置 DUAL DUAL - DUAL - DUAL DUAL DUAL - -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON - SILICON SILICON SILICON - -

推荐资源

低压小电流稳压电源

可编程只读存储器LED显示

长河KYT-30，KYT-40转页扇电路图

采用7段驱动器的8段显示电路

电阻通断测试器电路

光纤数据接收器电路

步进电机选型指南
步进电机原理说明 步进电机是将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制元件。 在非超载的情况下，电机的转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数，而不受负载变化的影响，即给电机 ......
wstt 工业自动化与控制
反激变换器单线圈传递和双线圈传递的问题
就是如果我用两个线圈用在反激变换器里。这两个线圈会不会有相位差呢？有相位差的情况下，一个发送能量的时候另一个线圈是不是就相当于一个电感了？这不相当于并联一个电感了么？（电源V7可以 ......
Decim 模拟电子
谁有embedded visual c++ 3.0的安装包或者下载地址啊，谢谢了！！
rt，谢谢了...
dudu1981 嵌入式系统
电磁兼容原理、方法及设计的科普好文！
什么是电磁兼容 电磁兼容性（EMC）是指设备或系统在其电磁环境中符合要求运行并不对其环境中的任何设备产生无法忍受的电磁干扰的能力。因此，EMC包括两个方面的要求：一方面是指设备在正常运 ......
btty038 无线连接
PN532如何设置成卡模式
手机可以读出pn532信息，手头没有关于pn532设置的资料，希望得到大家的帮助 ...
那是我的最爱 无线连接
寻求兼职
本人在北京大兴区北京经济开发区凉水河一街附近工作，闲暇之余想找份兼职做，我现在双休，正常上下班，目前从事单片机PCB相关的开发工作，以及C#上位机软件编写，功底深厚。有需要的请联系我， ......
zhangdaoyu 工作这点儿事
器件捷径:   L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

  1. 231-100-H7ZL23-97PA
  2. TAZB475M004CBMM0800
  3. 800-038-AAHL8NF8-2PX-12
  4. 177-710-1-9GP4J7-24SCN
  5. 54122-412-23-1550RLF
  6. 69273-055LF
  7. HW-42-19-F-D-200-055
  8. L2004F526
  9. HSB340
  10. 1.5SMCJ24CT/R13
  11. SDV1005E260C500NPTF
  12. RC-01W8203FT

开源项目推荐更多

  1. LTM4628EV DC/DC 模块稳压器的典型应用电路，用于两相、1.5V 和 16A 设计
  2. LT6654BHS6-1.25、16 位 ADC 电压基准的典型应用
  3. AM1D-2415S-RZ 15V 1 瓦 DC-DC 转换器的典型应用
  4. Eval-AD1940EB，使用 AD1940 SigmaDSP 的评估板，28 位音频处理器
  5. STM8/128-MCKIT，电机控制入门套件，旨在通过 STM8 MCU 提供完整的电机控制应用
  6. EVAL-CN0203-SDPZ，仅使用两个模拟组件的灵活 PLC/DCS 模拟输出模块
  7. DER-43 - 1.8W非隔离电源
  8. 使用 Cypress Semiconductor 的 S6AP413A19GN1C000 的参考设计
  9. 50 W / 60 W直接AC LED驱动器模拟调光
  10. MIC33030-AYHJ EV，用于便携式 1.8V DC 至 DC 单输出电源的评估板

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 免费申请：ADI 超低功耗3 轴 MEMS 加速计ADXL362Z评估板（价值386元）
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. 一个STM8串口**程序教程
  2. 汉EV的高电压充电技术有什么特别之处？
  3. 美国为解芯片荒 下周再开企业峰会
  4. STM32F103外部中断实现
  5. ICCV7 For AVR 使用教程 Atmega16 单片机
  6. EUV设备争抢热度降温 ASML传首度遭砍单
  7. 一种低成本高精度工业领域的温度测量方案
  8. 虹科脉冲发生器在读出电子测试中的应用

技术资料推荐更多

  1. 反激式开关电源隔离变换器设计步骤
  2. 2D/3D CAD drawings
  3. 38.300英文原版
  4. 压电变压器及其INVERTER介绍
  5. C Programming Notes for Professionals book （面向专业人士的 C 编程笔记）
  6. 磁集成三电平LLC谐振变换器
  7. 前端及后端设计笔试真题完整版
  8. 功率变换器中的磁性元件设计
  9. 基于verilog的序列信号检测器
  10. 2018年IC设计企业笔试题-汇顶

随便看看

  1. 步进电机选型指南
  2. 反激变换器单线圈传递和双线圈传递的问题
  3. 谁有embedded visual c++ 3.0的安装包或者下载地址啊，谢谢了！！
  4. 电磁兼容原理、方法及设计的科普好文！
  5. PN532如何设置成卡模式
  6. 寻求兼职
  7. MSP单片机控制GPS接收数据和GPRS发送数据
  8. 突然connect不上了？help me
  9. [GD32L233C] + 1.开箱&开发环境搭建
  10. PB订制wince问题？

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2295  1320  2780  1434  885  42  10  58  21  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved