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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CTLM3474-M832DBK
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CTLM3474-M832DBK

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小402KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CTLM3474-M832DBK概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10

CTLM3474-M832DBK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10
针数10
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)1.65 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CTLM3410-M832D
CTLM7410-M832D
CTLM3474-M832D
SURFACE MOUNT
DUAL, LOW VCE (SAT)
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
TLM832D CASE
MARKING CODES:
CTLM3410-M832D: CFG
CTLM7410-M832D: CFH
CTLM3474-M832D: CFJ
APPLICATIONS
•
Switching Circuits
•
DC - DC Converters
•
LCD Backlighting
•
Battery powered / Portable Equipment
applications including Cell Phones,
Digital Cameras, Pagers, PDAs,
Notebook PCs, etc.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation (Note 1)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM3410-
M832D (Dual NPN), CTLM7410-M832D (Dual PNP),
and CTLM3474-M832D (Complementary NPN & PNP)
are Low VCE(SAT) Transistors packaged in the small,
thermally efficient, 3x2mm Tiny Leadless Module
(TLM™) surface mount case. These devices are
designed for applications where small size, operational
efficiency, and low energy consumption are the prime
requirements. Due to its leadless package design this
device is capable of dissipating up to 4 times the power
of similar devices in comparable sized surface mount
packages.
FEATURES
•
Dual Chip Device
•
High Current (1.0A) Transistors
•
Low VCE(SAT) Transistors (450mV @ IC=1.0A MAX)
•
High Power to Footprint Ratio of 275mW per sq mm
(Package Power Dissipation / Package Surface Area)
•
Small TLM 3x2mm Leadless Surface Mount Package
•
Complementary Devices
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
W
°C
°C/W
40
25
6.0
1.0
1.65
-65 to +150
76
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
NPN
PNP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
TYP
MAX
ICBO
VCB=40V
100
IEBO
VEB=6.0V
100
BVCBO
IC=100µA
40
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
IC=10mA
IE=100µA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=100mA, IB=10mA
25
6.0
25
40
30
50
50
75
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
Notes: (1) FR-4 Epoxy PCB with copper mounting pad area of 54mm
2
.
R3 (1-August 2011)

CTLM3474-M832DBK相似产品对比

CTLM3474-M832DBK CTLM3474-M832DTR CTLM3474-M832DTRLEADFREE CTLM3410-M832DTR CTLM7410-M832DTRLEADFREE CTLM7410-M832DTR CTLM7410-M832DBK CTLM7410-M832DBKLEADFREE CTLM3410-M832DBK CTLM3410-M832DBKLEADFREE
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN and PNP Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Transistor Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Transistor Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 , 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 , 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 , 3 X 2 MM, LEADLESS PACKAGE-10 ,
Reach Compliance Code compliant compliant unknown compliant unknown compliant compliant unknown compliant unknown
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 100 50 100 50 50 100 50 100
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN AND PNP NPN/PNP NPN PNP PNP PNP PNP NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W 1.65 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
针数 10 10 - 10 - 10 10 - 10 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99 -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR -
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V - 25 V - 25 V 25 V - 25 V -
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS -
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 - R-PDSO-N8 - R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 - R-PDSO-N8 -
JESD-609代码 e3 e3 - e3 - e3 e3 - e3 -
湿度敏感等级 1 1 - 1 - 1 1 - 1 -
元件数量 2 2 - 2 - 2 2 - 2 -
端子数量 8 8 - 8 - 8 8 - 8 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN - MATTE TIN - MATTE TIN MATTE TIN - MATTE TIN -
端子形式 NO LEAD NO LEAD - NO LEAD - NO LEAD NO LEAD - NO LEAD -
端子位置 DUAL DUAL - DUAL - DUAL DUAL - DUAL -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING - SWITCHING SWITCHING - SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON - SILICON SILICON - SILICON -

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