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CY27C010-200LMB

产品描述OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, HERMETIC SEALED, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小369KB,共7页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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CY27C010-200LMB概述

OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, HERMETIC SEALED, LCC-32

CY27C010-200LMB规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
包装说明QCCN,
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间200 ns
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD

CY27C010-200LMB相似产品对比

CY27C010-200LMB CY27C010-90LMB CY27C010-120DMB CY27C010-200DMB CY27C010-150DMB
描述 OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, HERMETIC SEALED, LCC-32 OTP ROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, HERMETIC SEALED, LCC-32 OTP ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 OTP ROM, 128KX8, 150ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 QCCN, QCCN, DIP, DIP, DIP,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 200 ns 90 ns 120 ns 200 ns 150 ns
JESD-30 代码 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-GDIP-T32 R-GDIP-T32 R-GDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCN QCCN DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL
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