CY27C010-200DMB,CY27C010-200DMB pdf中文资料,CY27C010-200DMB引脚图,CY27C010-200DMB电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CY27C010-200DMB

CY27C010-200DMB: 产品描述OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小369KB，共7页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

CY27C010-200DMB概述

OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32

CY27C010-200DMB规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	DIP,
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	200 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL

CY27C010-200DMB相似产品对比

	CY27C010-200DMB	CY27C010-90LMB	CY27C010-120DMB	CY27C010-150DMB	CY27C010-200LMB
描述	OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32	OTP ROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, HERMETIC SEALED, LCC-32	OTP ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32	OTP ROM, 128KX8, 150ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-32	OTP ROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CQCC32, HERMETIC SEALED, LCC-32
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
包装说明	DIP,	QCCN,	DIP,	DIP,	QCCN,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	200 ns	90 ns	120 ns	150 ns	200 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T32	R-CQCC-N32	R-GDIP-T32	R-GDIP-T32	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	QCCN	DIP	DIP	QCCN
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD

推荐资源

用TA7666P组成双路五位发光二极管电平表电路

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多