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SL4N65F

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250A 漏源导通电阻:2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23.3W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小2MB,共10页
制造商萨科微(Slkor)
官网地址http://www.slkormicro.com/

深圳市斯尔科微电子有限公司致力于第三代半导体 SiC 功率器件。我们的产品涵盖分立器件和集成电路、二极管、晶体管、功率器件和电源管理芯片。我们的品牌“Slkor”在半导体行业享有盛誉。我们提供从工业到军事应用的各种产品,包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、IGBT、第五代超快恢复功率二极管等。这些产品广泛应用于电动汽车、高端设备、通讯设备等。

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SL4N65F概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 250A 漏源导通电阻:2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23.3W(Tc) 类型:N沟道

SL4N65F规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250A
漏源导通电阻2.6Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)23.3W(Tc)
类型N沟道
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