H5TQ2G83CFR-PBC,H5TQ2G83CFR-PBC pdf中文资料,H5TQ2G83CFR-PBC引脚图,H5TQ2G83CFR-PBC电路-Datasheet-电子工程世界

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H5TQ2G83CFR-PBC: 产品描述256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78; 产品类别存储存储; 文件大小355KB，共33页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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H5TQ2G83CFR-PBC概述

256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78

256M × 8 双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器, 20 ns, PBGA78

H5TQ2G83CFR-PBC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	HBGA, BGA78,9X13,32
针数	78
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	20 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B78
JESD-609代码	e1
长度	11 mm
内存密度	2147483648 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	78
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	256MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HBGA
封装等效代码	BGA78,9X13,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.012 A
最大压摆率	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	7.5 mm

H5TQ2G83CFR-PBC相似产品对比

	H5TQ2G83CFR-PBC	H5TQ2G43CFR	H5TQ2G43CFR-G7C	H5TQ2G43CFR-PBC	H5TQ2G43CFR-RDC	H5TQ2G43CFR-TEC	H5TQ2G83CFR-G7C	H5TQ2G83CFR-H9C	H5TQ2G83CFR-RDC
描述	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78
内存宽度	8	8	4	4	4	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	78	78	78	78	78	78	78	78	78
组织	256MX8	256M × 8	512MX4	512MX4	512MX4	256M × 8	256MX8	256MX8	256MX8
表面贴装	YES	Yes	YES	YES	YES	Yes	YES	YES	YES
温度等级	OTHER	其他	OTHER	OTHER	OTHER	其他	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	-	BGA	BGA	BGA	-	BGA	BGA	BGA
包装说明	HBGA, BGA78,9X13,32	-	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32	-	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32
针数	78	-	78	78	78	-	78	78	78
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli	compli	-	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	-	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	-	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	20 ns	-	20 ns	20 ns	20 ns	-	20 ns	20 ns	20 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz	-	533 MHz	800 MHz	933 MHz	-	533 MHz	667 MHz	933 MHz
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	-	4,8	4,8	4,8	-	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B78	-	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	-	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78
JESD-609代码	e1	-	e1	e1	e1	-	e1	e1	e1
长度	11 mm	-	11 mm	11 mm	11 mm	-	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	2147483648 bi	-	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi	-	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
端口数量	1	-	1	1	1	-	1	1	1
字数	268435456 words	-	536870912 words	536870912 words	536870912 words	-	268435456 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	256000000	-	512000000	512000000	512000000	-	256000000	256000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HBGA	-	HBGA	HBGA	HBGA	-	HBGA	HBGA	HBGA
封装等效代码	BGA78,9X13,32	-	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	-	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	-	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	-	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	260	260	-	260	260	260
电源	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	-	8192	8192	8192	-	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	-	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	-	4,8	4,8	4,8	-	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.012 A	-	0.012 A	0.012 A	-	-	0.012 A	0.012 A	-
最大压摆率	0.185 mA	-	0.145 mA	0.185 mA	-	-	0.145 mA	0.18 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	-	1.575 V	1.575 V	1.575 V	-	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	-	1.425 V	1.425 V	1.425 V	-	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子节距	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	20	20	20	-	20	20	20
宽度	7.5 mm	-	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm	-	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm

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