H5TQ2G43CFR-TEC,H5TQ2G43CFR-TEC pdf中文资料,H5TQ2G43CFR-TEC引脚图,H5TQ2G43CFR-TEC电路-Datasheet-电子工程世界

H5TQ2G43CFR-TEC: 产品描述256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78; 产品类别存储; 文件大小355KB，共33页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

H5TQ2G43CFR-TEC概述

256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78

256M × 8 双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器, 20 ns, PBGA78

H5TQ2G43CFR-TEC规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	78
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	0.0 Cel
最大供电/工作电压	1.58 V
最小供电/工作电压	1.42 V
额定供电电压	1.5 V
最小存取时间	20 ns
加工封装描述	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
状态	ACTIVE
包装形状	矩形的
包装尺寸	GRID 阵列, HEAT SINK/SLUG
表面贴装	Yes
端子形式	BALL
端子间距	0.8000 mm
端子位置	BOTTOM
包装材料	塑料/环氧树脂
温度等级	其他
内存宽度	8
组织	256M × 8
存储密度	2.15E9 deg
操作模式	同步
位数	2.68E8 words
位数	256M
存取方式	多 BANK PAGE BURST
内存IC类型	双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器
端口数	1

H5TQ2G43CFR-TEC相似产品对比

	H5TQ2G43CFR-TEC	H5TQ2G43CFR	H5TQ2G43CFR-G7C	H5TQ2G43CFR-PBC	H5TQ2G43CFR-RDC	H5TQ2G83CFR-G7C	H5TQ2G83CFR-H9C	H5TQ2G83CFR-PBC	H5TQ2G83CFR-RDC
描述	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78	256M X 8 DDR DRAM, 20 ns, PBGA78
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	78	78	78	78	78	78	78	78	78
表面贴装	Yes	Yes	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
温度等级	其他	其他	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
内存宽度	8	8	4	4	4	8	8	8	8
组织	256M × 8	256M × 8	512MX4	512MX4	512MX4	256MX8	256MX8	256MX8	256MX8
是否Rohs认证	-	-	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	-	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	-	-	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	-	-	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32	HBGA, BGA78,9X13,32
针数	-	-	78	78	78	78	78	78	78
Reach Compliance Code	-	-	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	-	-	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	-	-	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns
其他特性	-	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	-	-	533 MHz	800 MHz	933 MHz	533 MHz	667 MHz	800 MHz	933 MHz
I/O 类型	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	-	-	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	-	-	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78	R-PBGA-B78
JESD-609代码	-	-	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	-	-	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	-	-	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi
内存集成电路类型	-	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
端口数量	-	-	1	1	1	1	1	1	1
字数	-	-	536870912 words	536870912 words	536870912 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	-	-	512000000	512000000	512000000	256000000	256000000	256000000	256000000
工作模式	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	-	-	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
输出特性	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	-	-	HBGA	HBGA	HBGA	HBGA	HBGA	HBGA	HBGA
封装等效代码	-	-	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32	BGA78,9X13,32
封装形状	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	-	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
峰值回流温度（摄氏度）	-	-	260	260	260	260	260	260	260
电源	-	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
认证状态	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	-	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	-	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	-	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	-	-	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	-	-	0.012 A	0.012 A	-	0.012 A	0.012 A	0.012 A	-
最大压摆率	-	-	0.145 mA	0.185 mA	-	0.145 mA	0.18 mA	0.185 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	-	-	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	-	-	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	-	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
技术	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子节距	-	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	-	-	20	20	20	20	20	20	20
宽度	-	-	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm

H5TQ2G43CFR-TEC

H5TQ2G43CFR-TEC概述

H5TQ2G43CFR-TEC规格参数

H5TQ2G43CFR-TEC相似产品对比

推荐资源