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MBR20120CT

产品描述10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共2页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
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MBR20120CT概述

10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

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MBR20120CT

Features
High Junction Temperature Capability
Good Trade Off Between Leakage Cur-
rent And Forward Volage Drop
Low Leakage Current
20 Amp High Voltage
Power Schottky
Barrier Rectifier
120Volts
TO-220AB
B
C
K
E
PIN
1
3
Maximum Ratings
Operating J unction Temperature : 150°C
Storage Temperature: - 5 0
°C
to +150°C
Per d iode Thermal Resistance 2.2°C/W Junction to Case
MCC
Catalog
Number
MBR 20120 CT
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
120 V
Maximum
RMS
Voltage
84V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
120 V
L
M
D
A
F
G
I
J
N
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
I
F(AV)
I
FSM
20 A
150A
T
C
= 120°C
8.3ms, half
sine wave
H H
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE



A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
INCHES



.570
.620
.380
.405
.100
.120
.235
.255
.335
.365
.110
.155
.500
.562
.095
.105
.025
.035
.016
.025
.142
.147
.160
.190
.045
.055
0.102t y p.
MM



14.48
15.75
9.66
10.28
2.54
3.04
5.97
6.48
8.51
9.27
2.80
3.93
12.70
14.27
2.42
2.66
0.64
0.89
0.41
0.64
3.61
3.73
4.06
4.82
1.14
1.39
2.6t yp .
 
V
F
.83 V
I
FM
= 10A
T
J
= 100°C
Maximum
Reverse Current At
Rated DC Blocking
I
R
500
µ
A
T
J
= 25°C
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