K9F2808Q0C-BCB0,K9F2808Q0C-BCB0 pdf中文资料,K9F2808Q0C-BCB0引脚图,K9F2808Q0C-BCB0电路-Datasheet-电子工程世界

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K9F2808Q0C-BCB0: 产品描述Flash, 16MX8, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小691KB，共33页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K9F2808Q0C-BCB0概述

Flash, 16MX8, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48

K9F2808Q0C-BCB0规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	30 ns
其他特性	CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
长度	8.5 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	48
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
类型	SLC NAND TYPE
宽度	6 mm

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描述	Flash, 16MX8, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48	Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48	Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48	Flash, 16MX8, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48	Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48	Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48	6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48	6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48	VFBGA,	6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48	6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
针数	48	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A
最长访问时间	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns
其他特性	CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH	CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH	CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH	CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH	CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH	CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
长度	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm	8.5 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	16	16	8	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48	48	48
字数	16777216 words	8388608 words	8388608 words	16777216 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	16000000	8000000	8000000	16000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C
组织	16MX8	8MX16	8MX16	16MX8	8MX16	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	2.7 V	2.7 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
类型	SLC NAND TYPE	SLC NAND TYPE	SLC NAND TYPE	SLC NAND TYPE	SLC NAND TYPE	SLC NAND TYPE
宽度	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm	6 mm

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