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K9F2816Q0C-BCB0

产品描述Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
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文件大小691KB,共33页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K9F2816Q0C-BCB0概述

Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48

K9F2816Q0C-BCB0规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间30 ns
其他特性CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH
JESD-30 代码R-PBGA-B48
长度8.5 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
类型SLC NAND TYPE
宽度6 mm
Base Number Matches1

K9F2816Q0C-BCB0相似产品对比

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描述 Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48 Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48 Flash, 16MX8, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48 Flash, 16MX8, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48 Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48 Flash, 8MX16, 30ns, PBGA48, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48 VFBGA, 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48 6 X 8.50 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-48
针数 48 48 48 48 48 48
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A
最长访问时间 30 ns 30 ns 30 ns 30 ns 30 ns 30 ns
其他特性 CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
长度 8.5 mm 8.5 mm 8.5 mm 8.5 mm 8.5 mm 8.5 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 16 8 8 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48 48 48
字数 8388608 words 8388608 words 16777216 words 16777216 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 16000000 16000000 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 8MX16 8MX16 16MX8 16MX8 8MX16 8MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 2.7 V 2.7 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V 1.95 V 1.95 V 1.95 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V 1.65 V 1.65 V 1.65 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
类型 SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE
宽度 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm 6 mm
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