CY62126DV30L-55BVXI,CY62126DV30L-55BVXI pdf中文资料,CY62126DV30L-55BVXI引脚图,CY62126DV30L-55BVXI电路-Datasheet-电子工程世界

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CY62126DV30L-55BVXI: 产品描述Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小251KB，共13页; 制造商Cypress(赛普拉斯); 标准

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CY62126DV30L-55BVXI概述

Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48

CY62126DV30L-55BVXI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA,
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	8 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	48
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	6 mm

CY62126DV30L-55BVXI相似产品对比

	CY62126DV30L-55BVXI	CY62126DV30LL-70LFXI	CY62126DV30L-55ZSE	CY62126DV30LL-45ZXI	CY62126DV30L-70BVIT	CY62126DV30LL-70ZIT	CY62126DV30LL-70ZXIT	CY62126DV30LL-45LFXI	CY62126DV30LL-55LFXI
描述	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, QFN-56	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44	Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, QFN-56	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, QFN-56
零件包装代码	BGA	QFN	TSOP2	TSOP2	BGA	TSOP2	TSOP2	QFN	QFN
包装说明	VFBGA,	HVQCCN,	TSOP2,	TSOP2,	VFBGA,	TSOP2,	TSOP2,	HVQCCN,	HVQCCN,
针数	48	56	44	44	48	44	44	56	56
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	55 ns	70 ns	55 ns	45 ns	70 ns	70 ns	70 ns	45 ns	55 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	S-XQCC-N56	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	S-XQCC-N56	S-XQCC-N56
JESD-609代码	e1	e3	e0	e3	e0	e0	e3/e4	e3	e3
长度	8 mm	8 mm	18.415 mm	18.415 mm	8 mm	18.415 mm	18.415 mm	8 mm	8 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	56	44	44	48	44	44	56	56
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	VFBGA	HVQCCN	TSOP2	TSOP2	VFBGA	TSOP2	TSOP2	HVQCCN	HVQCCN
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1 mm	1 mm	1.194 mm	1.194 mm	1 mm	1.194 mm	1.194 mm	1 mm	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	Matte Tin (Sn)	TIN LEAD	MATTE TIN	TIN LEAD	TIN LEAD	MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	BALL	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.75 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.75 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD
宽度	6 mm	8 mm	10.16 mm	10.16 mm	6 mm	10.16 mm	10.16 mm	8 mm	8 mm
是否无铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	-	-	-	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合	-	-	-	符合	符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	-	-	Cypress(赛普拉斯)	-	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
湿度敏感等级	3	3	3	3	-	-	-	3	3
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	240	260	-	-	-	260	260
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	30	20	-	-	-	20	20

CY62126DV30L-55BVXI

CY62126DV30L-55BVXI概述

CY62126DV30L-55BVXI规格参数

CY62126DV30L-55BVXI相似产品对比

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