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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMUDM7004TR
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CMUDM7004TR

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-523, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小392KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CMUDM7004TR概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-523, 3 PIN

CMUDM7004TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT
包装说明SOT-523, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.45 A
最大漏极电流 (ID)0.45 A
最大漏源导通电阻0.46 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)10 pF
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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CMUDM7004
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM7004
is an Enhancement-mode N-Channel MOSFET,
manufactured by the N-Channel DMOS Process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. This MOSFET offers Low rDS(on) and
Low Theshold Voltage.
MARKING CODE: 74C
SOT-523 CASE
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Devices
MAXIMUM RATING:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
FEATURES:
• ESD Protection up to 2kV
• Low rDS(on)
• Low Threshold Voltage
• Logic Level Compatible
• Small, SOT-523 Surface Mount Package
• Complimentary P-Channel MOSFET: CMUDM8004
SYMBOL
VDS
VGS
ID
PD
TJ, Tstg
UNITS
V
V
mA
mW
°C
MAX
3.0
1.0
30
0.5
0.5
280
390
ID=1.0A
ID=1.0A
200
5.0
43
8.0
20
75
10
45
15
550
0.792
0.15
0.23
1.0
1.1
460
560
730
UNITS
μA
μA
V
V
V
mΩ
mΩ
mΩ
nC
nC
nC
mS
pF
pF
pF
ns
ns
30
8.0
450
250
-65 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=8.0V, VDS=0
IDSS
BVDSS
VGS(th)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
Qg(tot)
Qgs
Qgd
gFS
Crss
Ciss
Coss
ton
toff
VDS=30V, VGS=0
VGS=0, ID=10μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=0, IS=400mA
VGS=4.5V, ID=200mA
VGS=2.5V, ID=100mA
VGS=1.8V, ID=75mA
VDS=15V, VGS=4.5V,
VDS=15V, VGS=4.5V,
VDS=15V,
VDS=10V,
VDS=25V,
VGS=4.5V, ID=1.0A
ID=100mA
VGS=0, f=1.0MHz
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=5.0V, VGS=4.0V, ID=75mA, RG=10Ω
VDS=5.0V, VGS=4.0V, ID=75mA, RG=10Ω
R2 (2-August 2011)

CMUDM7004TR相似产品对比

CMUDM7004TR CMUDM7004TRLEADFREE CMUDM7004BKLEADFREE CMUDM7004BK CMUDM8004TR
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-523, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-523, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant unknown unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single Single Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.45 A 0.45 A 0.45 A 0.45 A 0.45 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
Base Number Matches - 1 1 1 -

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