电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

CMUDM7004BKLEADFREE

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小392KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CMUDM7004BKLEADFREE概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

CMUDM7004BKLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.45 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
CMUDM7004
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM7004
is an Enhancement-mode N-Channel MOSFET,
manufactured by the N-Channel DMOS Process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. This MOSFET offers Low rDS(on) and
Low Theshold Voltage.
MARKING CODE: 74C
SOT-523 CASE
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Devices
MAXIMUM RATING:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
FEATURES:
• ESD Protection up to 2kV
• Low rDS(on)
• Low Threshold Voltage
• Logic Level Compatible
• Small, SOT-523 Surface Mount Package
• Complimentary P-Channel MOSFET: CMUDM8004
SYMBOL
VDS
VGS
ID
PD
TJ, Tstg
UNITS
V
V
mA
mW
°C
MAX
3.0
1.0
30
0.5
0.5
280
390
ID=1.0A
ID=1.0A
200
5.0
43
8.0
20
75
10
45
15
550
0.792
0.15
0.23
1.0
1.1
460
560
730
UNITS
μA
μA
V
V
V
nC
nC
nC
mS
pF
pF
pF
ns
ns
30
8.0
450
250
-65 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=8.0V, VDS=0
IDSS
BVDSS
VGS(th)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
Qg(tot)
Qgs
Qgd
gFS
Crss
Ciss
Coss
ton
toff
VDS=30V, VGS=0
VGS=0, ID=10μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=0, IS=400mA
VGS=4.5V, ID=200mA
VGS=2.5V, ID=100mA
VGS=1.8V, ID=75mA
VDS=15V, VGS=4.5V,
VDS=15V, VGS=4.5V,
VDS=15V,
VDS=10V,
VDS=25V,
VGS=4.5V, ID=1.0A
ID=100mA
VGS=0, f=1.0MHz
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=5.0V, VGS=4.0V, ID=75mA, RG=10Ω
VDS=5.0V, VGS=4.0V, ID=75mA, RG=10Ω
R2 (2-August 2011)

CMUDM7004BKLEADFREE相似产品对比

CMUDM7004BKLEADFREE CMUDM7004TRLEADFREE CMUDM7004BK CMUDM8004TR CMUDM7004TR
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-523, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-523, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant unknown unknown not_compliant
配置 Single Single Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.45 A 0.45 A 0.45 A 0.45 A 0.45 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL P-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1 - -
内核模块编译出错 是怎么回事 求大侠指导啊
内核模块编译出错 提示如下 是怎么回事 求大侠指导啊...
Mr.颓废 嵌入式系统
基于Easy51RTOS的Mini51板万年历,DS1302+DS18B20
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:29 编辑 来源:大学生电子实验室 基于Easy51RTOS的Mini51板万年历,DS1302时钟、DS18B20温度传感器,人性化按键设计…… 程序设计思想提炼如下图所示 ......
clark 电子竞赛
讨论关于51系列单片机多任务C语言程序编写
在开发电路板时经常遇到同时使用DS18B20、数码管时间显示、外部实时控制之类的问题,反正是各个子程序之间有互相干扰,的现象,就是在同一时间既要扫描显示,又要兼顾18B20的读写延时,又要外部 ......
conghaisheng 51单片机
嵌入式开发必知的七个技巧
成为一个正式的嵌入式开发工程师。它是一个艰辛的过程,需要开发人员维护和管理系统的每个比特和字节。从规范完善的开发周期到严格执行和系统检查,开发高可靠性嵌入式系统的技术有许多种。今天 ......
caiyuxia1 嵌入式系统
0-24V直流电机调压调速
0-24V直流电机调压调速.pdf...
luopi2000 模拟电子
C语言:A[2][0]=A[0][2]=A[1][1];的意思 ?
请教: C语言 A=A=A;A=A的意思是: A和A都等于A ,对吗 ? 谢谢! ...
yhye2world 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 628  2410  1393  1778  1066  27  6  14  11  58 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved