Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, NMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | QCCN, |
| 针数 | 18 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N18 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 12.32 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 110 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 256KX1 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 2.18 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | NMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.24 mm |
| SMJ4256-12FVS | SMJ4256-20JDS | SMJ4256-15JDS | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, NMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18 | Page Mode DRAM, 256KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 | Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
| 零件包装代码 | LCC | DIP | DIP |
| 包装说明 | QCCN, | DIP, | DIP, |
| 针数 | 18 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE | PAGE | PAGE |
| 最长访问时间 | 120 ns | 200 ns | 150 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N18 | R-CDIP-T16 | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 16 | 16 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 110 °C | 110 °C | 110 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 2.18 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO |
| 技术 | NMOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.24 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
