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SMJ4256-20JDS

产品描述Page Mode DRAM, 256KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
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文件大小1MB,共20页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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SMJ4256-20JDS概述

Page Mode DRAM, 256KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16

SMJ4256-20JDS规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式PAGE
最长访问时间200 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度110 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX1
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

SMJ4256-20JDS相似产品对比

SMJ4256-20JDS SMJ4256-15JDS SMJ4256-12FVS
描述 Page Mode DRAM, 256KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 Page Mode DRAM, 256KX1, 120ns, NMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
零件包装代码 DIP DIP LCC
包装说明 DIP, DIP, QCCN,
针数 16 16 18
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 200 ns 150 ns 120 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 R-CDIP-T16 R-CQCC-N18
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 16 16 18
字数 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 110 °C 110 °C 110 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
组织 256KX1 256KX1 256KX1
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP QCCN
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 2.18 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES
技术 NMOS NMOS NMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.24 mm
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