SRAM Module, 512KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | White Electronic Designs Corporation |
包装说明 | PLASTIC, BGA-119 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 4 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
长度 | 22 mm |
内存密度 | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
内存宽度 | 36 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 119 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX36 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.794 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 14 mm |
WED2DL36513V40BI | WED2DL36513V38BI | WED2DL36513V40BC | WED2DL36513V25BC | WED2DL36513V35BC | WED2DL36513V38BC | |
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描述 | SRAM Module, 512KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119 | SRAM Module, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119 | SRAM Module, 512KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119 | SRAM Module, 512KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119 | SRAM Module, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119 | SRAM Module, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | PLASTIC, BGA-119 | PLASTIC, BGA-119 | PLASTIC, BGA-119 | PLASTIC, BGA-119 | PLASTIC, BGA-119 | PLASTIC, BGA-119 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 4 ns | 3.8 ns | 4 ns | 2.5 ns | 3.5 ns | 3.8 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 |
长度 | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm |
内存密度 | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
内存宽度 | 36 | 36 | 36 | 36 | 36 | 36 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 119 | 119 | 119 | 119 | 119 | 119 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 512KX36 | 512KX36 | 512KX36 | 512KX36 | 512KX36 | 512KX36 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.794 mm | 2.794 mm | 2.794 mm | 2.794 mm | 2.794 mm | 2.794 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
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