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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N457AT26R
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1N457AT26R

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小25KB，共1页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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1N457AT26R概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

1N457AT26R规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N457/A
1N457/A
DO-35
Color Band Denotes Cathode
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Maximum Repetitive Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Value
70
200
1.0
4.0
-65 to +200
175
Units
V
mA
A
A
°C
°C
T
stg
T
J
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
500
300
Units
mW
°C/W
Electrical Characteristics
Symbol
V
R
V
F
I
R
C
T
Parameter
Breakdown Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitance
1N457
1N457
1N457A
Test Conditions
I
R
= 100
µA
I
F
= 20 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 60 V
V
R
= 60 V, T
A
= 150°C
V
R
= 0, f = 1.0 MHz
Min
70
Max
1.0
1.0
25
5
8.0
Units
V
V
V
nA
µA
pF
2002
Fairchild Semiconductor Corporation
1N457/A, Rev. A

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