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MT48LC8M16LFB4-8:G

产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
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文件大小3MB,共80页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT48LC8M16LFB4-8:G概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54

MT48LC8M16LFB4-8:G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA54,9X9,32
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e1
长度8 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.00045 A
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm

MT48LC8M16LFB4-8:G相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, VFBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, VFBGA-54 Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 符合 不符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA TSOP2 BGA
包装说明 VFBGA, BGA54,9X9,32 VFBGA, BGA54,9X9,32 VFBGA, BGA54,9X9,32 8 X 8 MM, VFBGA-54 VFBGA, BGA90,9X15,32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 VFBGA, BGA90,9X15,32
针数 54 54 54 54 90 54 90
Reach Compliance Code unknown not_compliant compliant not_compliant compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 7 ns 7 ns 7 ns 7 ns 7 ns 5.4 ns 7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 125 MHz 125 MHz 125 MHz 125 MHz 100 MHz 133 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 R-PBGA-B90 R-PDSO-G54 R-PBGA-B90
JESD-609代码 e1 e0 e1 e0 e1 e0 e1
长度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 13 mm 22.22 mm 13 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 268435456 bit 134217728 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16 32 16 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54 90 54 90
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX16 8MX16 8MX16 8MX16 8MX32 8MX16 8MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA VFBGA TSOP2 VFBGA
封装等效代码 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA90,9X15,32 TSOP54,.46,32 BGA90,9X15,32
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 235 260 235 260 235 260
电源 3.3 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 3.3 V 1.8/2.5,2.5 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1.2 mm 1 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.00045 A 0.00045 A 0.00045 A 0.00045 A 0.00045 A 0.00045 A 0.00045 A
最大压摆率 0.13 mA 0.13 mA 0.13 mA 0.13 mA 0.12 mA 0.13 mA 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 2.7 V 2.7 V 3.6 V 2.7 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 2.3 V 2.3 V 3 V 2.3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 2.5 V 2.5 V 3.3 V 2.5 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL GULL WING BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM DUAL BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 10.16 mm 8 mm
厂商名称 Micron Technology - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
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