MT48V8M16LFB4-8:G,MT48V8M16LFB4-8:G pdf中文资料,MT48V8M16LFB4-8:G引脚图,MT48V8M16LFB4-8:G电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT48V8M16LFB4-8:G

MT48V8M16LFB4-8:G: 产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共80页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT48V8M16LFB4-8:G概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54

MT48V8M16LFB4-8:G规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数	54
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B54
JESD-609代码	e1
长度	8 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA54,9X9,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00045 A
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8 mm

MT48V8M16LFB4-8:G相似产品对比

	MT48V8M16LFB4-8:G	MT48V8M16LFF4-8:G	MT48LC8M16LFB4-8:G	MT48LC8M16LFF4-8:G	MT48V4M32LFB5-10:G	MT48LC8M16LFTG-75M:G	MT48LC4M32LFB5-10:G
描述	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, VFBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, VFBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	TSOP2	BGA
包装说明	VFBGA, BGA54,9X9,32	VFBGA, BGA54,9X9,32	VFBGA, BGA54,9X9,32	8 X 8 MM, VFBGA-54	VFBGA, BGA90,9X15,32	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54	VFBGA, BGA90,9X15,32
针数	54	54	54	54	90	54	90
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	unknown	not_compliant	compliant	not_compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	5.4 ns	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz	125 MHz	125 MHz	125 MHz	100 MHz	133 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	R-PBGA-B90	R-PDSO-G54	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e1	e0	e1	e0	e1	e0	e1
长度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	13 mm	22.22 mm	13 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	268435456 bit	134217728 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	32	16	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	90	54	90
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX32	8MX16	8MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	TSOP2	VFBGA
封装等效代码	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA90,9X15,32	TSOP54,.46,32	BGA90,9X15,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	235	260	235	260	235	260
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	3.3 V	3.3 V	1.8/2.5,2.5 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1.2 mm	1 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00045 A	0.00045 A	0.00045 A	0.00045 A	0.00045 A	0.00045 A	0.00045 A
最大压摆率	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA	0.12 mA	0.13 mA	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	3.6 V	3.6 V	2.7 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	3 V	3 V	2.3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	3.3 V	3.3 V	2.5 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	GULL WING	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	10.16 mm	8 mm
厂商名称	Micron Technology	-	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology

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