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1N4936

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共2页
制造商Rectron
标准  
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1N4936概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

1N4936规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH CURRENT CAPABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)265
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
1N4933
THRU
1N4937
FAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 1.0 Ampere
FEATURES
*
*
*
*
Low cost
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
DO-41
MECHANICAL DATA
*
*
*
*
*
Case: Molded plastic
Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O
Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
Mounting position: Any
Weight: 0.33 gram
1.0 (25.4)
MIN.
.034 (0.9)
DIA.
.028 (0.7)
.205 (5.2)
.166 (4.2)
.107 (2.7)
.080 (2.0)
DIA.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
1.0 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
o
at T
A
= 75 C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
C
J
T
J
, T
STG
1N4933
50
35
50
1N4934
100
70
100
1N4935
200
140
200
1.0
30
15
-65 to + 150
1N4936
400
280
400
1N4937
600
420
600
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
pF
0
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage T
A
= 25
o
C
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle
Average, .375” (9.5mm) lead length at T
L
= 55
o
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
NOTES : 1. Test Conditions: I
F
= 1.0A, V
R
= 30V
2. Measured at 1 MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts
SYMBOL
V
F
1N4933
1N4934
1N4935
1.2
5.0
I
R
100
trr
200
uAmps
nSec
2001-5
1N4936
1N4937
UNITS
Volts
uAmps
o

1N4936相似产品对比

1N4936 1N4935
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 DO-41 DO-41
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
针数 2 2
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH CURRENT CAPABILITY HIGH CURRENT CAPABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) 265 NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1
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