1N4935: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小28KB，共2页; 制造商Rectron; 标准

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN

1N4935规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-41
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH CURRENT CAPABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V
最大反向恢复时间	0.2 µs
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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RECTRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

1N4933

THRU

1N4937

FAST RECOVERY RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 1.0 Ampere

FEATURES

Low cost

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

DO-41

MECHANICAL DATA

Case: Molded plastic

Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O

Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

Mounting position: Any

Weight: 0.33 gram

1.0 (25.4)

MIN.

.034 (0.9)

DIA.

.028 (0.7)

.205 (5.2)

.166 (4.2)

.107 (2.7)

.080 (2.0)

DIA.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

1.0 (25.4)

MIN.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS

(At T

= 25

C unless otherwise noted)

RATINGS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

at T

= 75 C

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Operating and Storage Temperature Range

SYMBOL

RRM

RMS

FSM

, T

STG

1N4933

1N4934

100

1N4935

200

140

200

1.0

-65 to + 150

1N4936

400

280

400

1N4937

600

420

600

UNITS

Volts

Amps

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(At T

= 25 C unless otherwise noted)

CHARACTERISTICS

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage T

= 25

Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle

Average, .375” (9.5mm) lead length at T

= 55

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)

NOTES : 1. Test Conditions: I

= 1.0A, V

= 30V

2. Measured at 1 MH

and applied reverse voltage of 4.0 volts

SYMBOL

1N4933

1N4934

1N4935

1.2

5.0

100

trr

200

uAmps

nSec

2001-5

1N4936

1N4937

UNITS

Volts

uAmps

1N4935相似产品对比

	1N4935	1N4936
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	DO-41	DO-41
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2
针数	2	2
Reach Compliance Code	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH CURRENT CAPABILITY	HIGH CURRENT CAPABILITY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V
JEDEC-95代码	DO-41	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3	e3
最大非重复峰值正向电流	30 A	30 A
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-55 °C
最大输出电流	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	265
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	200 V	400 V
最大反向恢复时间	0.2 µs	0.2 µs
表面贴装	NO	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1

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