Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT18HTS25672CHIY-53EXX

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MT18HTS25672CHIY-53EXX: 产品描述DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小409KB，共23页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT18HTS25672CHIY-53EXX概述

DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200

MT18HTS25672CHIY-53EXX规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	SODIMM
包装说明	DIMM,
针数	200
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XZMA-N200
JESD-609代码	e4
长度	67.75 mm
内存密度	19327352832 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	200
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.8 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	30 mm

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2GB, 4GB (x72, DR) 200-Pin DDR2 SDRAM SOCDIMM

Features

DDR2 SDRAM SOCDIMM

MT18HTS25672CHY – 2GB

MT18HTS51272CHY – 4GB

Features

•

200-pin, small-outline clocked dual in-line memory

module (SOCDIMM)

•

Fast data transfer rates: PC2-4200 or PC2-5300

•

2GB (256 Meg x 72) or 4GB (512 Meg x 72)

•

Supports ECC error detection and correction

•

= V

DDQ

= 1.8V

•

DDSPD

= 3.0–3.6V

•

JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)

•

Differential data strobe (DQS, DQS#) option

•

4n-bit prefetch architecture

•

Multiple internal device banks for concurrent opera-

tion

•

Programmable CAS latency (CL)

•

Posted CAS additive latency (AL)

•

WRITE latency = READ latency - 1

•

Programmable burst lengths (BL): 4 or 8

•

Adjustable data-output drive strength

•

64ms, 8192-cycle refresh

•

On-die termination (ODT)

•

Serial presence detect (SPD) with EEPROM

•

Phase-lock loop (PLL) to reduce system clock line

•

Gold edge contacts

•

Dual rank, TwinDie™ (2COB) DRAM devices

•

C temperature sensor

Table 1: Key Timing Parameters

Speed

Grade

-667

-53E

Industry

Nomenclature

PC2-5300

PC2-4200

Data Rate (MT/s)

CL = 5

667

–

CL = 4

553

CL = 3

400

RCD

Figure 1: 200-Pin SOCDIMM (MO-274 R/C C)

Module height 30.0mm (1.18in)

Options

•

Operating temperature

–

Commercial (0°C

≤

+70°C)

–

Industrial (–40°C

≤

+85°C)

•

Package

–

200-pin DIMM (lead-free)

•

Frequency/CL

–

3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)

–

3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)

Notes:

Marking

None

-667

-53E

1. Contact Micron for industrial temperature

module offerings

2. CL = CAS (READ) latency.

(ns)

PDF: 09005aef8253e3ea

hts18c256_512x72ch.pdf - Rev. D 3/10 EN

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

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描述	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200	DIMM,
针数	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4
长度	67.75 mm	67.75 mm	67.75 mm	67.75 mm	67.75 mm	67.75 mm	67.75 mm	67.75 mm	67.75 mm
内存密度	19327352832 bit	19327352832 bit	38654705664 bit	38654705664 bit	38654705664 bit	38654705664 bit	19327352832 bit	19327352832 bit	38654705664 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	200	200	200	200	200	200	200	200	200
字数	268435456 words	268435456 words	536870912 words	536870912 words	536870912 words	536870912 words	268435456 words	268435456 words	536870912 words
字数代码	256000000	256000000	512000000	512000000	512000000	512000000	256000000	256000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	256MX72	256MX72	512MX72	512MX72	512MX72	512MX72	256MX72	256MX72	512MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	-	-	-	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology

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