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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT18HTS51272CHIY-667XX
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MT18HTS51272CHIY-667XX

产品描述DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小409KB，共23页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
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MT18HTS51272CHIY-667XX概述

DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200

MT18HTS51272CHIY-667XX规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM,
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XZMA-N200
JESD-609代码e4
长度67.75 mm
内存密度38654705664 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.8 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度30 mm
Base Number Matches1

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2GB, 4GB (x72, DR) 200-Pin DDR2 SDRAM SOCDIMM
Features
DDR2 SDRAM SOCDIMM
MT18HTS25672CHY – 2GB
MT18HTS51272CHY – 4GB
Features
•
200-pin, small-outline clocked dual in-line memory
module (SOCDIMM)
•
Fast data transfer rates: PC2-4200 or PC2-5300
•
2GB (256 Meg x 72) or 4GB (512 Meg x 72)
•
Supports ECC error detection and correction
•
V
DD
= V
DDQ
= 1.8V
•
V
DDSPD
= 3.0–3.6V
•
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
•
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
•
4n-bit prefetch architecture
•
Multiple internal device banks for concurrent opera-
tion
•
Programmable CAS latency (CL)
•
Posted CAS additive latency (AL)
•
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
•
Programmable burst lengths (BL): 4 or 8
•
Adjustable data-output drive strength
•
64ms, 8192-cycle refresh
•
On-die termination (ODT)
•
Serial presence detect (SPD) with EEPROM
•
Phase-lock loop (PLL) to reduce system clock line
loading
•
Gold edge contacts
•
Dual rank, TwinDie™ (2COB) DRAM devices
•
I
2
C temperature sensor
Table 1: Key Timing Parameters
Speed
Grade
-667
-53E
Industry
Nomenclature
PC2-5300
PC2-4200
Data Rate (MT/s)
CL = 5
667
–
CL = 4
553
553
CL = 3
400
400
t
RCD
t
RP
t
RC
Figure 1: 200-Pin SOCDIMM (MO-274 R/C C)
Module height 30.0mm (1.18in)
Options
•
Operating temperature
–
Commercial (0°C
≤
T
A
≤
+70°C)
–
Industrial (–40°C
≤
T
A
≤
+85°C)
1
•
Package
–
200-pin DIMM (lead-free)
•
Frequency/CL
2
–
3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
–
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
Notes:
Marking
None
I
Y
-667
-53E
1. Contact Micron for industrial temperature
module offerings
2. CL = CAS (READ) latency.
(ns)
15
15
(ns)
15
15
(ns)
55
55
PDF: 09005aef8253e3ea
hts18c256_512x72ch.pdf - Rev. D 3/10 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2006 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

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描述 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200 DIMM,
针数 200 200 200 200 200 200 200 200 200
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4
长度 67.75 mm 67.75 mm 67.75 mm 67.75 mm 67.75 mm 67.75 mm 67.75 mm 67.75 mm 67.75 mm
内存密度 38654705664 bit 19327352832 bit 38654705664 bit 38654705664 bit 38654705664 bit 19327352832 bit 19327352832 bit 19327352832 bit 38654705664 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 200 200 200 200 200 200 200 200 200
字数 536870912 words 268435456 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words 536870912 words
字数代码 512000000 256000000 512000000 512000000 512000000 256000000 256000000 256000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 512MX72 256MX72 512MX72 512MX72 512MX72 256MX72 256MX72 256MX72 512MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30 30 30
宽度 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm
厂商名称 - Micron Technology - - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology

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