K4D263238I-UC400,K4D263238I-UC400 pdf中文资料,K4D263238I-UC400引脚图,K4D263238I-UC400电路-Datasheet-电子工程世界

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K4D263238I-UC400: 产品描述DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小319KB，共17页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4D263238I-UC400概述

DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100

K4D263238I-UC400规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP,
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
长度	20 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	100
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	4MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	14 mm

K4D263238I-UC400相似产品对比

	K4D263238I-UC400	K4D263238I-UC50T	K4D263238I-UC500	K4D263238I-QC500	K4D263238I-QC400
描述	DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100	DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100	DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100	DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100	DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	TQFP,	TQFP,	TQFP,	TQFP,	TQFP,
针数	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C
组织	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, THIN PROFILE	FLATPACK, THIN PROFILE	FLATPACK, THIN PROFILE	FLATPACK, THIN PROFILE	FLATPACK, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
是否Rohs认证	符合	-	符合	不符合	不符合
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	240	240
处于峰值回流温度下的最长时间	40	-	40	30	30

K4D263238I-UC400

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