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K4D263238I-UC500

产品描述DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100
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文件大小319KB,共17页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4D263238I-UC500概述

DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100

K4D263238I-UC500规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码QFP
包装说明TQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度32
湿度敏感等级2
功能数量1
端口数量1
端子数量100
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织4MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度14 mm

K4D263238I-UC500相似产品对比

K4D263238I-UC500 K4D263238I-UC50T K4D263238I-QC500 K4D263238I-UC400 K4D263238I-QC400
描述 DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100 DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100 DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100 DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 TQFP, TQFP, TQFP, TQFP, TQFP,
针数 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code compliant unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.7 ns 0.7 ns 0.6 ns 0.6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 65 °C 65 °C 65 °C 65 °C 65 °C
组织 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TQFP TQFP TQFP TQFP TQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, THIN PROFILE FLATPACK, THIN PROFILE FLATPACK, THIN PROFILE FLATPACK, THIN PROFILE FLATPACK, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V
最小供电电压 (Vsup) 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
是否Rohs认证 符合 - 不符合 符合 不符合
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 240 260 240
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 30 40 30
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