DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | QFP |
包装说明 | TQFP, |
针数 | 100 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.7 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
长度 | 20 mm |
内存密度 | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 32 |
湿度敏感等级 | 2 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 100 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 65 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 4MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TQFP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 14 mm |
K4D263238I-UC500 | K4D263238I-UC50T | K4D263238I-QC500 | K4D263238I-UC400 | K4D263238I-QC400 | |
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描述 | DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100 | DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100 | DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 | DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TQFP-100 | DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | QFP | QFP | QFP | QFP | QFP |
包装说明 | TQFP, | TQFP, | TQFP, | TQFP, | TQFP, |
针数 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.7 ns | 0.7 ns | 0.7 ns | 0.6 ns | 0.6 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
长度 | 20 mm | 20 mm | 20 mm | 20 mm | 20 mm |
内存密度 | 134217728 bit | 134217728 bit | 134217728 bit | 134217728 bit | 134217728 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
字数 | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 | 4000000 | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 65 °C | 65 °C | 65 °C | 65 °C | 65 °C |
组织 | 4MX32 | 4MX32 | 4MX32 | 4MX32 | 4MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TQFP | TQFP | TQFP | TQFP | TQFP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK, THIN PROFILE | FLATPACK, THIN PROFILE | FLATPACK, THIN PROFILE | FLATPACK, THIN PROFILE | FLATPACK, THIN PROFILE |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 不符合 | 符合 | 不符合 |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | 240 | 260 | 240 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | 30 | 40 | 30 |
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