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2SJ253-YA

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共1页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SJ253-YA概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

2SJ253-YA规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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