HC6216KSHCC概述

Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CDFP24, CERAMIC, FP-24

HC6216KSHCC规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1400450825
零件包装代码	DFP
包装说明	DFP, FL24,.4
针数	24
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
YTEOL	0
最长访问时间	100 ns
其他特性	RADIATION-HARDENED SRAM
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDFP-F24
JESD-609代码	e0
长度	15.1384 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL24,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535V;38534K;883S
座面最大高度	3.175 mm
最大待机电流	0.00009 A
最小待机电流	2.5 V
最大压摆率	0.007 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V
宽度	10.16 mm

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HC6216KSHCC相似产品对比

	HC6216KSHCC	HC6216KCH-T	HC6216JCH-C	HC6216JCH-T	HC6216JSHCC	HC6216JSHCT	HC6216KSHCT
描述	Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CDFP24, CERAMIC, FP-24	Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CDFP24, CERAMIC, FP-24	Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, CDFP24, CERAMIC, FP-24
零件包装代码	DFP	DFP	DIP	DIP	DIP	DIP	DFP
包装说明	DFP, FL24,.4	DFP,	DIP,	DIP,	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DFP, FL24,.4
针数	24	24	24	24	24	24	24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
其他特性	RADIATION-HARDENED SRAM	RADIATION-HARDENED SRAM	RADIATION-HARDENED SRAM	RADIATION-HARDENED SRAM	RADIATION-HARDENED SRAM	RADIATION-HARDENED SRAM	RADIATION-HARDENED SRAM
JESD-30 代码	R-CDFP-F24	R-CDFP-F24	R-CDIP-T24	R-CDIP-T24	R-CDIP-T24	R-CDIP-T24	R-CDFP-F24
长度	15.1384 mm	15.1384 mm	30.48 mm	30.48 mm	30.48 mm	30.48 mm	15.1384 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24	24	24
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP	DFP	DIP	DIP	DIP	DIP	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.175 mm	3.175 mm	4.318 mm	4.318 mm	4.318 mm	4.318 mm	3.175 mm
最小待机电流	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	FLAT
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	10.16 mm
是否无铅	含铅	-	-	-	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	-	-	不符合	不符合	不符合
I/O 类型	COMMON	-	-	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-609代码	e0	-	-	-	e0	e0	e0
输出特性	3-STATE	-	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	FL24,.4	-	-	-	DIP24,.6	DIP24,.6	FL24,.4
筛选级别	38535V;38534K;883S	-	-	-	38535V;38534K;883S	38535V;38534K;883S	38535V;38534K;883S
最大待机电流	0.00009 A	-	-	-	0.00009 A	0.00009 A	0.00009 A
最大压摆率	0.007 mA	-	-	-	0.007 mA	0.007 mA	0.007 mA
端子面层	TIN LEAD	-	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
总剂量	1M Rad(Si) V	-	-	-	1M Rad(Si) V	1M Rad(Si) V	1M Rad(Si) V
厂商名称	-	Honeywell	-	Honeywell	Honeywell	Honeywell	Honeywell

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