Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 600V V(DRM)
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 标称电路换相断开时间 | 120 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V |
| 最大维持电流 | 250 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 6000 A |
| 最大通态电流 | 215000 A |
| 最高工作温度 | 130 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 600 V |
| 表面贴装 | NO |
| 触发设备类型 | SCR |
| Base Number Matches | 1 |
| SKT215/06C | SKT215/08C | SKT250/16C | SKT215/12C | SKT215/16C | SKT215/04C | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 800V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 250000mA I(T), 1600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 1200V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 1600V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 400V V(DRM) |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli | compli | compli | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 标称电路换相断开时间 | 120 µs | 120 µs | 120 µs | 120 µs | 120 µs | 120 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 200 V/us | 200 V/us | 200 V/us | 200 V/us | 200 V/us | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 最大维持电流 | 250 mA | 250 mA | 250 mA | 250 mA | 250 mA | 250 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 6000 A | 6000 A | 7000 A | 6000 A | 6000 A | 6000 A |
| 最大通态电流 | 215000 A | 215000 A | 250000 A | 215000 A | 215000 A | 215000 A |
| 最高工作温度 | 130 °C | 130 °C | 130 °C | 130 °C | 130 °C | 130 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 600 V | 800 V | 1600 V | 1200 V | 1600 V | 400 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
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